理_1668504500.png)
據(jù)轉(zhuǎn)換器_1668504554.png)
置_觸覺反饋_1708505730.png)
品_1668504627.png)
_1668506515.png)
動_1672903565.png)
備開發(fā)_1668506951.png)
工具_(dá)1668506968.png)
計服務(wù)_1668507003.png)
量-3_1668507445.png)
系_1668507465.png)
題-8_1668592008.jpg)
CSU-IDE V6.0.9
V6.0.9 更新(2025-12-25)
1、更新型號CS8M326啟動代碼
2、更新CS8M321、CS8M330啟動代碼
3、增加型號CS8M3210/CS8M3211
產(chǎn)品
產(chǎn)品概述 收藏
CDS1181
芯?？萍糃DS1181 是一個帶 24bitADC 的 8 位 RISC MCU，內(nèi)置 1K×16 位 OTP 程序存儲器。
芯?？萍糃DS1181，集高精度24bit ADC與8位RISC MCU于一身，內(nèi)置1K×16位OTP程序存儲器，為用戶提供了針對小信號測量的緊湊而高效的解決方案。其卓越的高精度ADC性能，確保了在各種測量應(yīng)用中的準(zhǔn)確性，特別適用于需要精細(xì)捕捉小信號的場合。
高性能的 RISC CPU
8 位單片機 MCU
內(nèi)置 1K×16 位程序存儲器 OTP
128 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器 SRAM（104 字節(jié)可用）
只有 41 條單字指令
8 級存儲堆棧
指令周期為 500kHz
內(nèi)置 1K×16 位程序存儲器 OTP
128 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器 SRAM（104 字節(jié)可用）
只有 41 條單字指令
8 級存儲堆棧
指令周期為 500kHz
振蕩器
內(nèi)帶 1.966MHz 振蕩器，初始精度為±1%，全溫度全電壓±2%
內(nèi)帶 10KHz 低速振蕩器，校準(zhǔn)之后精度為±10%
內(nèi)帶 10KHz 低速振蕩器，校準(zhǔn)之后精度為±10%
外設(shè)特性
最多支持 4 路模擬輸入、2 復(fù)用雙向 I/O 口 ，1 數(shù)字輸出口，2 數(shù)字輸入
1 路 8bit PWM 輸出（PT1.4）
2 個內(nèi)部中斷(TIMER1/ADC)
1 個外部中斷（PT1.5）
1 路 8bit PWM 輸出（PT1.4）
2 個內(nèi)部中斷(TIMER1/ADC)
1 個外部中斷（PT1.5）
專用微控制器的特性
上電復(fù)位（POR）
上電復(fù)位延遲定時器（39ms）
8bit 定時器
上電復(fù)位延遲定時器（39ms）
8bit 定時器
CMOS 技術(shù)
電壓工作范圍— VDD 2.4V~3.6V
低功耗特性
MCU 工作電流
— 正 常 模 式 450uA@1.966MHz( 工 作 電 壓3.3V，指令周期 500kHz)
— 休眠模式下的電流小于 1.5uA
— 正 常 模 式 450uA@1.966MHz( 工 作 電 壓3.3V，指令周期 500kHz)
— 休眠模式下的電流小于 1.5uA
封裝
內(nèi)部 8 pin，封裝為 SOP8
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收起
技術(shù)文檔
產(chǎn)品手冊(1)
設(shè)計與開發(fā)
工具/軟件
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