理_1668504500.png)
據(jù)轉(zhuǎn)換器_1668504554.png)
置_觸覺反饋_1708505730.png)
品_1668504627.png)
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動_1672903565.png)
備開發(fā)_1668506951.png)
工具_(dá)1668506968.png)
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量-3_1668507445.png)
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題-8_1668592008.jpg)
CSU-IDE V6.0.9
V6.0.9 更新(2025-12-25)
1、更新型號CS8M326啟動代碼
2、更新CS8M321、CS8M330啟動代碼
3、增加型號CS8M3210/CS8M3211
產(chǎn)品
產(chǎn)品概述 收藏
CS32G021
CS32G021系列是芯?？萍纪瞥龅闹С諹SB Type-C和PD3.0協(xié)議的USB-C控制器，CS32G021內(nèi)嵌ARM® Cortex™-M0內(nèi)核，主頻最高48MHz，內(nèi)置64K字節(jié)程序flash，數(shù)據(jù)flash大小可配置(與程序flash共享) ,4K字節(jié)LDROM，8K字節(jié)SRAM。因而可以支持很廣范圍的工業(yè)控制和需要高性能CPU的場合?？蓱?yīng)用于PC電源適配器、手機充電器、移動電源、車充、HUB等領(lǐng)域。
CS32G021系列是芯?？萍纪瞥龅闹С諹SB Type-C和PD3.0協(xié)議的USB-C控制器，可應(yīng)用于PC電源適配器、手機充電器、移動電源、車充、HUB等領(lǐng)域。CS32G021內(nèi)嵌ARM? Cortex?-M0內(nèi)核，主頻最高48MHz，因而可以支持很廣范圍的工業(yè)控制和需要高性能CPU的場合。
Type-C和USB PD
支持USB PD3.0協(xié)議，支持PPS
CC口可配置的RP和RD
支持2路Type-C口，可以獨立進行PD通信
CC口支持21V耐壓
內(nèi)置2個高壓（21V）控制口
支持快速角色交換（FRS）
CC口可配置的RP和RD
支持2路Type-C口，可以獨立進行PD通信
CC口支持21V耐壓
內(nèi)置2個高壓（21V）控制口
支持快速角色交換（FRS）
其他協(xié)議
支持QC4.0+、SCP、FCP、AFC協(xié)議
支持OPPO VOOC協(xié)議
支持BC1.2、Apple 2.4A
支持DP、DM上的所有配置
支持FCP、AFC等多種快充協(xié)議輸入
支持OPPO VOOC協(xié)議
支持BC1.2、Apple 2.4A
支持DP、DM上的所有配置
支持FCP、AFC等多種快充協(xié)議輸入
外設(shè)
最多27個通用 (GPIO) 腳
3個16-bit 定時器，8位預(yù)分頻
1組UART
1組SPI
1組I2C（支持主從模式）
2個模擬比較器
12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
11位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)
欠壓檢測(BOD)
3個16-bit 定時器，8位預(yù)分頻
1組UART
1組SPI
1組I2C（支持主從模式）
2個模擬比較器
12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
11位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)
欠壓檢測(BOD)
32位MCU
內(nèi)核ARM?Cortex?-M0 核，主頻最高48MHz
60K Flash 內(nèi)存用來存放應(yīng)用程序 (APROM)
可配置的數(shù)據(jù) flash(Data Flash)
4KB啟動代碼空間 (LDROM)
內(nèi)嵌8KB SRAM
系統(tǒng)啟動區(qū)間可配置，可以從APROM，LDROM或SRAM啟動
60K Flash 內(nèi)存用來存放應(yīng)用程序 (APROM)
可配置的數(shù)據(jù) flash(Data Flash)
4KB啟動代碼空間 (LDROM)
內(nèi)嵌8KB SRAM
系統(tǒng)啟動區(qū)間可配置，可以從APROM，LDROM或SRAM啟動
時鐘和晶振
24/8MHz 內(nèi)部 oscillator (HSI) (25℃, 5V,1% 誤差)
10 KHz 內(nèi)部低功耗oscillator (LSI)
10 KHz 內(nèi)部低功耗oscillator (LSI)
工作模式：(低功耗模式，多鐘低功耗策略)
Normal模式 ，工作電流10mA@5V，25℃
Sleep模式，工作電流2mA@5V，25℃
Deep-Sleep1模式 ，工作電流100uA@5V，25℃
Deep-Sleep2模式 ，工作電流12uA@5V，25℃
Deep Power-Down模式，工作電流2.5uA@5V，25℃
Sleep模式，工作電流2mA@5V，25℃
Deep-Sleep1模式 ，工作電流100uA@5V，25℃
Deep-Sleep2模式 ，工作電流12uA@5V，25℃
Deep Power-Down模式，工作電流2.5uA@5V，25℃
芯片安全性
對Flash存儲器提供多級保密策略
提供CRC-32計算單元，多項式為0x4C11DB7(與以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)相同)
內(nèi)置SRAM支持奇偶校驗
提供CRC-32計算單元，多項式為0x4C11DB7(與以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)相同)
內(nèi)置SRAM支持奇偶校驗
工作條件
工作溫度:-40℃~85℃
工作電壓:2.5V~5.5V
工作電壓:2.5V~5.5V
封裝
QFN24
QFN32
QFN32
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